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IRF3711Z/S/LPbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
12
10
ID= 12A
VDS= 15V
VDS= 10V
C oss = C ds + C gd
1000
Ciss
8
6
Coss
4
Crss
2
100
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
10.0
T J = 175°C
10000
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
10
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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